基本パラメーター:
金属不純物総量: | <10ppm |
銅イオン濃度: | 〜40g/l |
硫酸濃度: | 顧客仕様に応じた調整可能 |
塩化物イオン濃度: | 顧客要求に基づく調製対応可 |
外観: | 濃青色透明液 |
製品アプリケーション業界:
高純度硫酸銅溶液は、精密部品メッキにおいて、メッキ層の純度・均一性・機械的特性・電気特性において顕著な優位性を発揮します。特にマイクロメートル乃至ナノメートルレベルの微細構造に対応可能な精密電着を実現し、電流密度・溶液濃度・温度などのパラメータを厳密に制御することで、マイクロエレクトロニクスやセンサー分野の高精度部品要求を満たします。
高純度硫酸銅溶液は、集積回路の銅配線形成プロセス(銅インターポール電着)において、高品質・均一・安定した銅メッキ層を提供します。その主な利点は、高純度銅層の形成、銅層の均一堆積による配線欠陥低減、導電性向上、製品の長期信頼性確保にあります。精密なプロセス制御により、現代の集積回路が求める微細化・高集積化要求を満たす高品質IC製品を実現します。
高純度硫酸銅溶液は、半導体ウェハー製造において銅配線技術の発展を促進し、チップの電気性能と安定性を向上させます。半導体業界の高集積化・微細化(マイクロ/ナノレベル)の趨勢において、銅の低抵抗特性を活かした高アスペクト比配線形成を可能にし、厳格な製造要求に対応する均質な電着層を提供します。
特徴:
本品は高純度硫酸銅を原料とし、精密濾過と調整を経て製造。銅イオン純度が極めて高く、不純物含有量が最小限に抑えられており、メッキ液の安定性と均一な電析効果を保証します。
銅イオン濃度40g/Lの高濃度処方により、高速メッキ工程や厚膜形成要件に対応。短時間での銅層堆積が可能で、大規模量産プロセスに最適化されています。
均一な厚さ分布と平滑で光沢のあるメッキ表面を実現。精密部品や外観要求の厳しい高品位メッキ用途に適しています。
RoHS指令及びREACH規制を順守。非シアン系・低毒性処方により、作業環境安全性と廃液処理負荷軽減を両立しています。
基本パラメーター:
金属不純物総量: | <10ppm |
銅イオン濃度: | 〜40g/l |
硫酸濃度: | 顧客仕様に応じた調整可能 |
塩化物イオン濃度: | 顧客要求に基づく調製対応可 |
外観: | 濃青色透明液 |
製品アプリケーション業界:
高純度硫酸銅溶液は、精密部品メッキにおいて、メッキ層の純度・均一性・機械的特性・電気特性において顕著な優位性を発揮します。特にマイクロメートル乃至ナノメートルレベルの微細構造に対応可能な精密電着を実現し、電流密度・溶液濃度・温度などのパラメータを厳密に制御することで、マイクロエレクトロニクスやセンサー分野の高精度部品要求を満たします。
高純度硫酸銅溶液は、集積回路の銅配線形成プロセス(銅インターポール電着)において、高品質・均一・安定した銅メッキ層を提供します。その主な利点は、高純度銅層の形成、銅層の均一堆積による配線欠陥低減、導電性向上、製品の長期信頼性確保にあります。精密なプロセス制御により、現代の集積回路が求める微細化・高集積化要求を満たす高品質IC製品を実現します。
高純度硫酸銅溶液は、半導体ウェハー製造において銅配線技術の発展を促進し、チップの電気性能と安定性を向上させます。半導体業界の高集積化・微細化(マイクロ/ナノレベル)の趨勢において、銅の低抵抗特性を活かした高アスペクト比配線形成を可能にし、厳格な製造要求に対応する均質な電着層を提供します。
特徴:
本品は高純度硫酸銅を原料とし、精密濾過と調整を経て製造。銅イオン純度が極めて高く、不純物含有量が最小限に抑えられており、メッキ液の安定性と均一な電析効果を保証します。
銅イオン濃度40g/Lの高濃度処方により、高速メッキ工程や厚膜形成要件に対応。短時間での銅層堆積が可能で、大規模量産プロセスに最適化されています。
均一な厚さ分布と平滑で光沢のあるメッキ表面を実現。精密部品や外観要求の厳しい高品位メッキ用途に適しています。
RoHS指令及びREACH規制を順守。非シアン系・低毒性処方により、作業環境安全性と廃液処理負荷軽減を両立しています。